IGBT模塊FZ1000R33HL3

更新時間：2023-11-17

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品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ

新品

采用 1200V SiC M1H芯片的

62mm半橋模塊，最大規(guī)格1mΩ

1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現(xiàn)已上市。由于采用了 M1H芯片技術，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅(qū)動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預涂導熱界面材料（TIM）版本。

相關產(chǎn)品：

產(chǎn)品特點

集成體二極管，優(yōu)化了熱阻

最高的防潮性能

柵極氧化層可靠性

抗宇宙射線能力強

符合RoHS標準要求

應用價值

按照應用苛刻條件優(yōu)化

更低的電壓過沖

導通損耗最小

高速開關，損耗極低

對稱模塊設計實現(xiàn)對稱的上下橋臂開關行為

標準模塊封裝技術確?？煽啃?/p>

62毫米高產(chǎn)量生產(chǎn)線上生產(chǎn)

競爭優(yōu)勢

通過碳化硅擴展成熟的62毫米封裝的產(chǎn)品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用。

電流密度最高，防潮性能強

應用領域

儲能系統(tǒng)

電動汽車充電

光伏逆變器

UPS